DN3535N8-G
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Specification
封装 | SOT-89-3 |
Pd-功率耗散 | 1.6 W |
晶体管极性 | FET |
工作温度范围 | - 55 C~+ 150 C |
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
电路数量 | 1 Channel |
安装方式 | SMD/SMT |
Vds-漏源极击穿电压 | 350 V |
Rds On-漏源导通电阻 | 10 Ohms |
Id-连续漏极电流 | 230 mA |
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