NSBC114EDP6T5G
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Specification
宽度 | 0.8 mm |
集电极—发射极最大电压 VCEO | 50V |
高度 | 0.37 mm |
安装方式 | SMD/SMT |
长度 | 1 mm |
Pd-功率耗散 | 408mW |
最大集电极截止电流 | 500nA |
封装 | SOT-963 |
电路数量 | Dual |
晶体管极性 | 2个NPN预偏压式(双) |
工作温度范围 | - 55 C~+ 150 C |
集电极电流Ic | 100mA |
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NSBC114EDP6T5G
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晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 2 个 NPN 预偏压式(双) 50V 100mA 408mW 表面贴装型 SOT-963
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